Công ty Hàn Quốc hiện đang trong quá trình chuyển sang dây chuyền sản xuất chip 7nm dựa trên kỹ thuật in khắc EUV (Extreme Ultra-Violet) cho các phiên bản Exynos tiếp theo. Nhưng sau đó, Samsung có vẻ như muốn tiến xa hơn nữa bằng việc sản xuất chip 3nm trong tương lai, và xen giữa đó là công nghệ chip 5nm.
Quay trở lại cách đây vài năm, một kỹ sư của Samsung là Kinam Kim đã xác nhận tại một Hội nghị chuyên dụng rằng “không có khó khăn cơ bản nào cho quá trình tiến đến 5nm”. Tuy nhiên, quá trình phát triển này của Samsung đã không theo ý muốn của công ty.
Mặc dù vậy, với quy trình 3nm Gate-All-Surround (GAA), hoặc 3GAE, Samsung tin rằng họ có khả năng thu nhỏ kích thước hơn nữa cho công nghệ chip di động. Điều này là khá ấn tượng khi nó sẽ được áp dụng một cách rộng rãi trong các ứng dụng thế hệ tiếp theo như di động, mạng, xe thông minh, trí tuệ nhân tạo (AI) và Internet vạn vật (IoT).
Quá trình thực hiện đang diễn ra nhanh hơn dự kiến, vì Samsung có thể chia sẻ cùng các cơ sở sản xuất chip FinFET hiện có của mình, giúp giảm thời gian phát triển. Bộ công cụ thiết kế quy trình (PDK) cho 3GAE đã được phát hành vào tháng 4 để khách hàng bắt đầu làm việc sớm với kiến trúc của họ. Nhưng trước tiên, Samsung sẽ sản xuất chip 6nm vào cuối năm nay, sau đó là 5nm vào nửa đầu năm 2020 - đúng thời điểm cho Galaxy S11 xuất hiện.
Không dừng lại ở đó, quá trình phát triển chip 4nm sẽ kết thúc trong năm nay để triển khai sản xuất vào nửa cuối năm 2020, trong khi chip 3nm mang tính cách mạng có thể sẽ được thiết kế dành riêng cho Galaxy Note 11.
Theo Kiến Tường (Dân Việt)